2021年河北工業(yè)大學碩士研究生初試890半導體物理學考試大綱
來源:河北工業(yè)大學 更新時間:2020年08月19日 11:00:52
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河北工業(yè)大學2021年碩士研究生招生考試自命題科目考試大綱
科目代碼:890
科目名稱:半導體物理學
適用專業(yè):電子科學與技術(shù)
一、考試要求 半導體物理學適用于河北工業(yè)大學電子信息工程學院電子科學與技 術(shù)專業(yè)研究生招生專業(yè)課考試。主要考察對于半導體物理學基本概念、半 導體內(nèi)部載流子的基本運動規(guī)律、半導體物理特性的計算方法的掌握及運 用所學知識分析問題和解決問題的能力。
二、考試形式 試卷采用客觀題型和主觀題型相結(jié)合的形式,主要包括選擇題、填空 題、簡答題、計算題、分析論述題等。考試時間為 3 小時,總分為 150 分。
三、考試內(nèi)容
(一)半導體中的電子狀態(tài) 1. 常見半導體的晶格結(jié)構(gòu)類型和結(jié)合性質(zhì); 2.晶體中電子的運動,布洛赫定理、共有化運動和能帶的形成,電子 能量 E(k)與波矢 k 的關(guān)系,半導體中的電子的速度和加速度,有效質(zhì)量 概念和物理意義; 3.導體、半導體和絕緣體的能帶,本征半導體的導電機構(gòu),空穴的概 念; 4.回旋共振概念及其在能帶分析中的應用,鍺、硅的能帶結(jié)構(gòu),典型 的Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半導體的能帶結(jié)構(gòu)。
(二)半導體中的雜質(zhì)和缺陷 1.晶體中雜質(zhì)的存在形式,替位式和間隙式雜質(zhì)的概念; 2.施主雜質(zhì)和施主能級的概念,受主雜質(zhì)和受主能級的概念,電離和 電離能的概念; 3.淺能級雜質(zhì)的計算; 4.雜質(zhì)的補償作用,雙性雜質(zhì)的概念,深能級雜質(zhì)及其特點; 5.點缺陷的概念及缺陷能級,位錯及位錯能級。
(三)半導體中載流子的統(tǒng)計分布 1.k 空間中量子態(tài)的分布,狀態(tài)密度的概念,球形和橢球形等能面情 況下狀態(tài)密度的計算; 2.費米分布函數(shù)和玻爾茲曼分布函數(shù),費米能級的物理意義,波爾茲 曼分布的適用條件; 3.導帶電子濃度和價帶空穴濃度的計算,導帶和價帶有效狀態(tài)密度的 概念,非簡并半導體中熱平衡電子濃度和空穴濃度的計算公式,熱平衡載 流子濃度的乘積,本征半導體的載流子濃度; 4.雜質(zhì)能級被電子和空穴占據(jù)概率的計算,只含一種施主雜質(zhì)的 n 型 半導體中載流子濃度的計算,只含一種受主雜質(zhì)的 p 型半導體中載流子濃 度的計算,n 型半導體中電子濃度溫度關(guān)系及其機理; 5.一般情況下半導體中載流子濃度的計算; 6.簡并半導體的概念,簡并半導體載流子濃度的計算,簡并化條件; 7.重摻雜情況下載流子凍析效應,雜質(zhì)能帶,禁帶變窄效應。
(四)半導體的導電特性 1.歐姆定律微分形式數(shù)學定義式,載流子漂移運動和遷移率的概念, 電導率與遷移率的關(guān)系,漂移電流密度表達式; 2.載流子散射的概念,散射概率,電離雜質(zhì)散射的概念及其散射概率 的溫度關(guān)系,晶格振動散射的概念,聲學波和光學波,長縱聲學波和光學 波散射的機理,長縱聲學波散射概率的溫度關(guān)系; 3.載流子平均自由時間的概念及其與散射概率的關(guān)系,遷移率與平 均自由時間的關(guān)系; 4.電導率與平均自由時間的關(guān)系,電導遷移率和電導有效質(zhì)量的概 念; 5.遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系;電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系,電阻 率的溫度關(guān)系; 6.強場效應,熱載流子,歐姆定律的偏離及其機理,平均漂移速度與 電場強度的關(guān)系,多能谷散射,體內(nèi)負微分電導,高場疇區(qū)及耿氏振蕩。
(五)非平衡載流子 1.非平衡載流子的概念,非平衡載流子的注入與復合,非平衡載流子 的壽命; 2.準費米能級的概念,利用準費米能級計算非平衡情況下載流子濃 度,多子準費米能級和少子準費米能級相對熱平衡費米能級的偏離情況; 3.非平衡載流子的復合的概念,直接復合理論,直接復合機制復合率 和非平衡載流子壽命的推導,間接復合的概念,間接復合的 4 個過程,間 接復合機制復合率和非平衡載流子壽命的推導,復合中心的概念,雜質(zhì)或 缺陷能級成為有效復合中心的條件,表面復合的概念,俄歇復合的概念; 4.陷阱的概念,陷阱效應對非平衡載流子復合的影響,雜質(zhì)或缺陷能 級成為有陷阱中心的條件; 5.載流子擴散運動的概念,擴散流密度,擴散定律,一維穩(wěn)態(tài)擴散方 程及其解; 6.同時存在擴散運動和漂移運動情況下電流密度的表達式,載流子的 愛因斯坦關(guān)系; 7.連續(xù)性方程及其解,利用連續(xù)性方程分析光激發(fā)載流子的衰減、少 數(shù)載流子脈沖在電場中的漂移和穩(wěn)態(tài)情況下的表面復合。
四、參考書目 [1]《半導體物理學》,主編:劉恩科,朱秉升,羅晉生,電子工 業(yè)出版社出版社(2011 年版)。 其他注意事項:考生需要攜帶無編程無存儲無記憶功能的計算 器。
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